机译:紧凑的二维电势模型,用于亚阈值表征纳米级完全耗尽的短沟道纳米线MOSFET
机译:具有高k SiO_2叠栅结构的完全耗尽型绝缘体上硅MOSFET的亚阈值特性分析和建模
机译:基于表面和体电位统一区域建模的部分/动态/完全耗尽的DG / SOI MOSFET的浮体效应
机译:全耗尽SOI MOSFET亚阈值区域的二维分析建模
机译:纳米栅极长度部分耗尽硅-NON-insulator CMOS器件和电路中浮体效应的分析,建模和控制
机译:亚阈值政权的最佳灵敏度为纳米线FET生物传感器
机译:亚阈值区域部分耗尽和完全耗尽模式下纳米线生物传感器的灵敏度分析
机译:耗尽和部分耗尽的CCD中的点扩散函数。